ESD（靜電放電）對電子產(chǎn)品造成的破壞和損傷有突發(fā)性損傷和潛在性損傷兩種。所謂突發(fā)性損傷，指的是器件被嚴重損壞，功能喪失。這種損傷通常能夠在生產(chǎn)過程中的質(zhì)量檢測中能夠發(fā)現(xiàn)，因此給工廠帶來的主要是返工維修的成本。

　　而潛在性損傷指的是器件部分被損，功能尚未喪失，且在生產(chǎn)過程的檢測中不能發(fā)現(xiàn)，但在使用當中會使產(chǎn)品變得不穩(wěn)定，時好時壞，因而對產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成更大的危害。

　　靜電釋放帶來的問題：

　　盡管ESD發(fā)生時轉(zhuǎn)移的靜電總量通常很�。�納庫倫級別），然而放電的能量積累在硅片上很小的一個區(qū)域內(nèi)。發(fā)生在幾個納秒內(nèi)的靜電釋放能產(chǎn)生超過1A的峰值電流，簡直可以蒸發(fā)金屬連線和穿透氧化層。放電也可能成為柵氧化層擊穿的誘因。

　　帶來的另一個重大問題在于，一旦硅片表面有了電荷積累，它產(chǎn)生的電場就能吸引帶電顆粒或極化并吸引中性顆粒到硅片表面。電視屏幕能吸引灰塵就是一個例子。此外，顆粒越小，靜電對它的吸引作用越明顯。

　　隨著器件關(guān)鍵尺寸的縮小，ESD對更小顆粒的吸引變得重要起來，能產(chǎn)生致命缺陷。為減少小顆粒玷污，硅片放電必須得到控制。